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【時快訊】民德電子:今年計劃量產的產品包括IGBT、FRD以及SiC器件等產品

來源:DoNews快訊


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民德電子接受機構調研時表示,新產品方面,公司控股的功率半導體設計公司廣微集成,去年在12英寸晶圓代工廠開發的SGT-MOSFET產品,60V系列產品已量產,80V、100V系列產品已完成工程批并預計今年上半年量產,如進展順利,下半年將啟動150V、200V產品開發工作,今年SGT-MOSFET產品有望為廣微集成貢獻顯著收入增長;此外,伴隨廣芯微電子通線投產,今年還計劃量產的產品包括:900-1500V高壓MOS、IGBT、FRD以及SiC器件等產品。(格隆匯)

標簽: 進展順利 收入增長 預計今年

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